晶体管基础

1947年由肖克利发明的晶体管，属于双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)。此外，晶体管的另一个分支，场效应管(Field Effect Transistor,FET)=结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,JEFT)+金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)。

双极性晶体管的工作原理及放大电路

晶体管简化模型

双极型晶体管可简化为如下模型：

晶体管分类

半导体材料有N型半导体与P型半导体两种。

N代表Negative，在+4的硅材料中掺杂少量+5元素如砷、磷等制成，多子为电子。

P代表Positive，在+4的硅材料中掺杂少量+3元素如硼等，多子为空穴。

双极性晶体管分为NPN管与PNP管。

看NPN管：其中b、e组成了一个PN结，称为发射结；b、c组成了另一个PN结，称为集电结。

晶体管的基本电流关系

发射结电压：U_B - U_E = U_BE